IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor（绝缘栅双极晶体管）的首字母缩写。它是一个功率晶体管，其输入部分采用MOS结构，输出部分采用双极结构。因为适用于高电压和高电流，它能够以较少驱动功率控制大电源。其应用包括感应加热烹饪设备。还可用于直流固态继电器

IGBT是双极型晶体管（BJT）和MOSFET的复合器件，IGBT将BJT的电导调制效应引入到VDMOS的高祖漂流区，大大改善了器件的导通特性，同时它还具有MOSFET的栅极高输入阻抗的特点。IGBT所能应用的范围基本上替代了传统的功率晶体管。

绝缘栅双极型晶体管本质上是一个场效应晶体管，在结构上与功率MOSFET相似，只是在员工率MOSFET的漏极和衬底之间额外增加了一个P+型层。